VS-ETL015Y120H Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ETL015Y120H
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Leistung - max 89W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.03V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 75µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.07nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall EMIPAK-2B Lieferantengerätepaket EMIPAK-2B |