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AON6812

AON6812

Nur als Referenz

Teilenummer AON6812
PNEDA Teilenummer AON6812
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 7.578
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Voraussichtliche Lieferung Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AON6812 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAON6812
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AON6812, AON6812 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 325,77 KB)
PDFAON6812 Datenblatt Cover
AON6812 Datenblatt Seite 2 AON6812 Datenblatt Seite 3 AON6812 Datenblatt Seite 4 AON6812 Datenblatt Seite 5 AON6812 Datenblatt Seite 6

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AON6812 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1720pF @ 15V
Leistung - max4.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-DFN-EP (5.2x5.55)

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

79mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

473pF @ 10V

Leistung - max

2.3W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 15V

Leistung - max

1.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x2)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

SMA5127

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550Ohm @ 2A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Leistung - max

4W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

Leistung - max

190W

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