UPA2670T1R-E2-AX
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| Teilenummer | UPA2670T1R-E2-AX |
| PNEDA Teilenummer | UPA2670T1R-E2-AX |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UPA2670T1R-E2-AX Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UPA2670T1R-E2-AX |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
UPA2670T1R-E2-AX, UPA2670T1R-E2-AX Datenblatt
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UPA2670T1R-E2-AX Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 473pF @ 10V |
| Leistung - max | 2.3W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-HUSON (2x2) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
