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AOD609

AOD609

Nur als Referenz

Teilenummer AOD609
PNEDA Teilenummer AOD609
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 659.604
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AOD609 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOD609
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AOD609, AOD609 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 431,11 KB)
PDFAOD609 Datenblatt Cover
AOD609 Datenblatt Seite 2 AOD609 Datenblatt Seite 3 AOD609 Datenblatt Seite 4 AOD609 Datenblatt Seite 5 AOD609 Datenblatt Seite 6 AOD609 Datenblatt Seite 7 AOD609 Datenblatt Seite 8 AOD609 Datenblatt Seite 9

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AOD609 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN and P-Channel, Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 20V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
LieferantengerätepaketTO-252-4L

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

584pF @ 25V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

450mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2Ohm @ 225mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 25V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1366pF @ 16V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1938pF @ 15V

Leistung - max

1.4W, 2W

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