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AOD609

AOD609

Nur als Referenz

Teilenummer AOD609
PNEDA Teilenummer AOD609
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 659.604
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AOD609 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOD609
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
AOD609, AOD609 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 431,11 KB)
PDFAOD609 Datenblatt Cover
AOD609 Datenblatt Seite 2 AOD609 Datenblatt Seite 3 AOD609 Datenblatt Seite 4 AOD609 Datenblatt Seite 5 AOD609 Datenblatt Seite 6 AOD609 Datenblatt Seite 7 AOD609 Datenblatt Seite 8 AOD609 Datenblatt Seite 9

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AOD609 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypN and P-Channel, Common Drain
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 20V
Leistung - max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
LieferantengerätepaketTO-252-4L

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Serie

-

FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

903pF @ 15V

Leistung - max

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

147A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 20mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

322nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 1000V

Leistung - max

625W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1938pF @ 15V

Leistung - max

1.4W, 2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

766pF @ 15V

Leistung - max

1.5W, 2.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

680A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 500A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1440nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

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