Speicher-ICs

IS61LV12824-10BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-10BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-10B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-10TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-10TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-8BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.63V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-8BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

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IS61LV12824-8TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV12824-8TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV256-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 256Kb (32K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 12ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-TSOP I

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IS61LV256-15TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 256Kb (32K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
• Zugriffszeit: 15ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 28-TSOP I

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IS61LV25616AL-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (8x10)

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IS61LV25616AL-10K

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10K-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV25616AL-10LQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 44-LQFP (10x10)

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IS61LV25616AL-10T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV25616AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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