Speicher-ICs

IS61LV632A-6TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (32K x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV632A-6TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (32K x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LV6416-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)

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IS61LV6416-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)

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IS61LV6416-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV6416-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV6416-10T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-10TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-10TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-10T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-12KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 12ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV6416-12KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
• Zugriffszeit: 12ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV6416-8KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV6416-8KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-SOJ

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IS61LV6416-8TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV6416-8TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61NLF102418-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLF102418-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLF102418-6.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLF102418-6.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLF102418-6.5TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61NLF102418-6.5TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61NLF102418-7.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLF102418-7.5B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61NLF102418-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61NLF102418-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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