Speicher-ICs

IS61LPS51236A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LPS51236A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.1ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IS61LPS51236A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236A-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236A-250B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 250MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 2.6ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236B-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

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IS61LPS51236B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LPS51236B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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IS61LV10248-10T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 8Mb (1M x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)

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IS61LV12816L-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)

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IS61LV12816L-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)

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IS61LV12816L-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)

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IS61LV12816L-10LQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 44-LQFP (10x10)

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IS61LV12816L-10LQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 44-LQFP (10x10)

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IS61LV12816L-10LQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 44-LQFP (10x10)

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IS61LV12816L-10LQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 44-LQFP (10x10)

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IS61LV12816L-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-10TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-10TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-10TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-8TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12816L-8TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ns
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS61LV12824-10B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Asynchronous
• Speichergröße: 3Mb (128K x 24)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

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