Speicher-ICs

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IS61LPS25636A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.290
IS61LPS25636A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.362
IS61LPS25636A-200TQ2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager7.740
IS61LPS25636A-200TQ2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.966
IS61LPS25636A-200TQ2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager3.402
IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.174
IS61LPS25636A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.406
IS61LPS25636A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.166
IS61LPS25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager3.543
IS61LPS25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager3.472
IS61LPS25636B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager6.588
IS61LPS25636B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.466
IS61LPS25672A-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (256K x 72) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 209-BGA Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)	Auf Lager2.862
IS61LPS25672A-250B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (256K x 72) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 209-BGA Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)	Auf Lager6.570
IS61LPS409618B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager6.084
IS61LPS409618B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager430
IS61LPS51218A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.760
IS61LPS51218A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.784
IS61LPS51218A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.588
IS61LPS51218A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.660
IS61LPS51218B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager5.742
IS61LPS51218B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager7.758
IS61LPS51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager4.032
IS61LPS51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager6.786
IS61LPS51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager3.780
IS61LPS51236A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager5.544
IS61LPS51236A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager3.042
IS61LPS51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)	Auf Lager7.974
IS61LPS51236A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager2.988
IS61LPS51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager2.934

IS61LPS25636A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.290

IS61LPS25636A-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.362

IS61LPS25636A-200TQ2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager7.740

IS61LPS25636A-200TQ2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.966

IS61LPS25636A-200TQ2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager3.402

IS61LPS25636A-200TQ2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.174

IS61LPS25636A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.406

IS61LPS25636A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.166

IS61LPS25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager3.543

IS61LPS25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager3.472

IS61LPS25636B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager6.588

IS61LPS25636B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager2.466

IS61LPS25672A-250B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 209-BGA
Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

Auf Lager2.862

IS61LPS25672A-250B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 209-BGA
Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

Auf Lager6.570

IS61LPS409618B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager6.084

IS61LPS409618B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager430

IS61LPS51218A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.760

IS61LPS51218A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.784

IS61LPS51218A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.588

IS61LPS51218A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.660

IS61LPS51218B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager5.742

IS61LPS51218B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager7.758

IS61LPS51236A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager4.032

IS61LPS51236A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager6.786

IS61LPS51236A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager3.780

IS61LPS51236A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager5.544

IS61LPS51236A-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager3.042

IS61LPS51236A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-TFBGA (13x15)

Auf Lager7.974

IS61LPS51236A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager2.988

IS61LPS51236A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager2.934

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