Speicher-ICs

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IS61LP6432A-133TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.806
IS61LP6432A-133TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager7.488
IS61LP6432A-133TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.508
IS61LP6432A-133TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.544
IS61LP6436A-133TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.914
IS61LP6436A-133TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.950
IS61LP6436A-133TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.860
IS61LP6436A-133TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 2Mb (64K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.388
IS61LPD102418A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager7.920
IS61LPD102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager6.390
IS61LPD102418A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager7.866
IS61LPD102418A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.478
IS61LPD102418A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager3.222
IS61LPD102418A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager4.932
IS61LPD102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager8.244
IS61LPD102418A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager8.676
IS61LPD25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.028
IS61LPD25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager7.056
IS61LPD51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager7.182
IS61LPD51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager2.556
IS61LPD51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager4.968
IS61LPD51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager8.244
IS61LPD51236A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.426
IS61LPD51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.364
IS61LPD51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.742
IS61LPD51236A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.1ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager2.448
IS61LPD51236A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager8.946
IS61LPD51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager5.400
IS61LPD51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager4.932
IS61LPD51236A-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 2.6ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)	Auf Lager5.418

IS61LP6432A-133TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.806

IS61LP6432A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager7.488

IS61LP6432A-133TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.508

IS61LP6432A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 32)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.544

IS61LP6436A-133TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.914

IS61LP6436A-133TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.950

IS61LP6436A-133TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.860

IS61LP6436A-133TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 2Mb (64K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.388

IS61LPD102418A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager7.920

IS61LPD102418A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager6.390

IS61LPD102418A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager7.866

IS61LPD102418A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.478

IS61LPD102418A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager3.222

IS61LPD102418A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager4.932

IS61LPD102418A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager8.244

IS61LPD102418A-250B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager8.676

IS61LPD25636A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.028

IS61LPD25636A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager7.056

IS61LPD51236A-200B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager7.182

IS61LPD51236A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager2.556

IS61LPD51236A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager4.968

IS61LPD51236A-200B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager8.244

IS61LPD51236A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.426

IS61LPD51236A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.364

IS61LPD51236A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.742

IS61LPD51236A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.1ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager2.448

IS61LPD51236A-250B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager8.946

IS61LPD51236A-250B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager5.400

IS61LPD51236A-250B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager4.932

IS61LPD51236A-250B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 2.6ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-PBGA (13x15)

Auf Lager5.418

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