Speicher-ICs

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IS61LF12836A-7.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BBGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager3.490
IS61LF12836A-7.5B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BBGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager6.264
IS61LF12836A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager3.978
IS61LF12836A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.298
IS61LF12836A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.199
IS61LF12836A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.140
IS61LF12836EC-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.448
IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager7.938
IS61LF12836EC-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager5.958
IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager8.406
IS61LF204818A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.732
IS61LF204818A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.724
IS61LF204818B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager3.508
IS61LF204818B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.862
IS61LF204836B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.214
IS61LF204836B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager7.092
IS61LF25618A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager3.526
IS61LF25618A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.364
IS61LF25618EC-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager7.578
IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager2.502
IS61LF25636A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.382
IS61LF25636A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager5.058
IS61LF25636A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.930
IS61LF25636A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager4.284
IS61LF25636B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager6.678
IS61LF25636B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)	Auf Lager7.362
IS61LF51218A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager6.588
IS61LF51218A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager3.384
IS61LF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.352
IS61LF51218A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)	Auf Lager8.478

IS61LF12836A-7.5B2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BBGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager3.490

IS61LF12836A-7.5B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BBGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager6.264

IS61LF12836A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager3.978

IS61LF12836A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.298

IS61LF12836A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.199

IS61LF12836A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.140

IS61LF12836EC-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager2.448

IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager7.938

IS61LF12836EC-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager7.092

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager3.526

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.364

IS61LF25618EC-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager7.578

IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager2.502

IS61LF25636A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.382

IS61LF25636A-7.5TQI-TR

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Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager5.058

IS61LF25636A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.930

IS61LF25636A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager4.284

IS61LF25636B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager6.678

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

Auf Lager7.362

IS61LF51218A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager6.588

IS61LF51218A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager3.384

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.352

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 117MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

Auf Lager8.478

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