Speicher-ICs

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IS61C64AL-10JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOJ	Auf Lager1.732
IS61C64AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOJ	Auf Lager3.528
IS61C64AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP I	Auf Lager3.150
IS61C64AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Asynchronous Speichergröße: 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP I	Auf Lager2.718
IS61DDB21M18A-300B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager5.004
IS61DDB21M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager3.490
IS61DDB21M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager8.748
IS61DDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager4.428
IS61DDB21M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager5.364
IS61DDB21M36-275M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 275MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager8.550
IS61DDB21M36A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager7.344
IS61DDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager5.886
IS61DDB21M36C-300M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager4.122
IS61DDB21M36C-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager4.086
IS61DDB22M18-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager3.834
IS61DDB22M18-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager8.010
IS61DDB22M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager2.898
IS61DDB22M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager10.111
IS61DDB22M18C-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager7.812
IS61DDB22M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager4.752
IS61DDB22M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (2M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager4.770
IS61DDB22M36A-300B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager5.850
IS61DDB22M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 72Mb (2M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager8.622
IS61DDB24M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager5.310
IS61DDB24M18A-300B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)	Auf Lager8.478
IS61DDB24M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 72Mb (4M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager7.776
IS61DDB251236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager7.434
IS61DDB41M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager2.646
IS61DDB41M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 250MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.85ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager8.028
IS61DDB41M36A-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße: 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.4ns Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-LBGA Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)	Auf Lager2.070

IS61C64AL-10JLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket: 28-SOJ

Auf Lager1.732

IS61C64AL-10JLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket: 28-SOJ

Auf Lager3.528

IS61C64AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket: 28-TSOP I

Auf Lager3.150

IS61C64AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchronous
Speichergröße: 64Kb (8K x 8)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
Zugriffszeit: 10ns
Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket: 28-TSOP I

Auf Lager2.718

IS61DDB21M18A-300B4L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager5.004

IS61DDB21M18A-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager3.490

IS61DDB21M18C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager8.748

IS61DDB21M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager4.428

IS61DDB21M36-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager5.364

IS61DDB21M36-275M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 275MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager8.550

IS61DDB21M36A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager7.344

IS61DDB21M36C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager5.886

IS61DDB21M36C-300M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager4.122

IS61DDB21M36C-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager4.086

IS61DDB22M18-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager3.834

IS61DDB22M18-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager8.010

IS61DDB22M18A-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager2.898

IS61DDB22M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager10.111

IS61DDB22M18C-250B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager7.812

IS61DDB22M18C-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager4.752

IS61DDB22M18C-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager4.770

IS61DDB22M36A-300B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager5.850

IS61DDB22M36A-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager8.622

IS61DDB24M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager5.310

IS61DDB24M18A-300B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (13x15)

Auf Lager8.478

IS61DDB24M18A-300M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 72Mb (4M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager7.776

IS61DDB251236A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: -
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager7.434

IS61DDB41M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager2.646

IS61DDB41M36-250M3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 250MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5.85ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager8.028

IS61DDB41M36A-300M3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.4ns
Spannung - Versorgung: 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-LBGA
Lieferantengerätepaket: 165-LFBGA (15x17)

Auf Lager2.070

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message