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AS4C8M16S-6BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager6.822
AS4C8M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager3.492
AS4C8M16S-6TAN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.526
AS4C8M16S-6TANTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.970
AS4C8M16S-6TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.448
AS4C8M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.526
AS4C8M16S-6TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.158
AS4C8M16S-6TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.372
AS4C8M16S-7BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager6.390
AS4C8M16S-7BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager3.096
AS4C8M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.750
AS4C8M16S-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.248
AS4C8M16SA-6BAN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager8.364
AS4C8M16SA-6BANTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager8.820
AS4C8M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager7.092
AS4C8M16SA-6BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager8.838
AS4C8M16SA-6TAN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager22.920
AS4C8M16SA-6TANTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.104
AS4C8M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager12.624
AS4C8M16SA-6TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.604
AS4C8M16SA-6TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager49.008
AS4C8M16SA-6TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.312
AS4C8M16SA-7BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager15.216
AS4C8M16SA-7BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager3.672
AS4C8M16SA-7TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager79.464
AS4C8M16SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.668
AS4C8M32MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher 134-BALL FBGA (10X11.5X1.0) Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager8.244
AS4C8M32MSA-6BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager6.768
AS4C8M32MSA-6BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-FBGA (8x13)	Auf Lager6.948
AS4C8M32S-6BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager7.380

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