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AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16SA-6TINTR
PNEDA Teilenummer AS4C8M16SA-6TINTR
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16SA-6TINTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16SA-6TINTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16SA-6TINTR, AS4C8M16SA-6TINTR Datenblatt (Total Pages: 54, Größe: 1.189,41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Cover
AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 11

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AS4C8M16SA-6TINTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ms

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

32-TSOP

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

33MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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