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AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16SA-6TIN
PNEDA Teilenummer AS4C8M16SA-6TIN
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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Auf Lager 49.008
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AS4C8M16SA-6TIN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16SA-6TIN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16SA-6TIN, AS4C8M16SA-6TIN Datenblatt (Total Pages: 54, Größe: 1.189,41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Cover
AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C8M16SA-6BINTR Datenblatt Seite 11

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AS4C8M16SA-6TIN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit5ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket54-TSOP II

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-TSOP I

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

32Kb (4K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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