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AS4C8M16S-7BCN

AS4C8M16S-7BCN

Nur als Referenz

Teilenummer AS4C8M16S-7BCN
PNEDA Teilenummer AS4C8M16S-7BCN
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-7BCN Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAS4C8M16S-7BCN
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
AS4C8M16S-7BCN, AS4C8M16S-7BCN Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 568,13 KB)
PDFAS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Cover
AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 2 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 3 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 4 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 5 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 6 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 7 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 8 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 9 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 10 AS4C8M16S-6BINTR Datenblatt Seite 11

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AS4C8M16S-7BCN Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (8M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz143MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall54-TFBGA
Lieferantengerätepaket54-TFBGA (8x8)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SST25VF080B-80-4C-QAE-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST25

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON

70T3589S166DR

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

2Mb (64K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

208-BFQFP

Lieferantengerätepaket

208-PQFP (28x28)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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