Speicher-ICs

Speicher (46.590)
Speicher - Batterien (13)
Speicher - Konfigurations-Proms für FPGAs (578)
Speichercontroller (151)

Datensätze 47.332

Seite 1117/1578

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MT40A512M8RH-075E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager4.788
MT40A512M8RH-075E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager2.934
MT40A512M8RH-075E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager7.488
MT40A512M8RH-083E AAT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager2.502
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager2.232
MT40A512M8RH-083E AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager6.138
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager7.956
MT40A512M8RH-083E AUT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager4.302
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager8.694
MT40A512M8RH-083E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager20.082
MT40A512M8RH-083E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 4G 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager5.346
MT40A512M8RH-083E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager7.740
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager2.268
MT40A512M8SA-062E AAT:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager4.158
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager3.726
MT40A512M8SA-062E AIT:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager5.652
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager7.668
MT40A512M8SA-062E AUT:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager7.632
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager3.508
MT40A512M8SA-062E:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager2.484
MT40A512M8SA-062E IT:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager3.024
MT40A512M8SA-062E IT:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager5.922
MT40A512M8Z90BWC1 Micron Technology Inc.	Speicher DDR4 4G DIE 512MX8 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.858
MT40A8G4KVA-075H:G Micron Technology Inc.	Speicher MEMORY DRAM Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.694
MT40A8G4KVA-075H:G TR Micron Technology Inc.	Speicher MEMORY DRAM Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.824
MT41DC11TW-V88A Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR3 1G NANA NA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.218
MT41DC11TW-V88A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR3 1G NANA NA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.776
MT41DCHA-V80A:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DDR3 4G NANA FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.302
MT41J128M16HA-107G:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager6.282
MT41J128M16HA-125:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager89.831

«
‹
1
...
1114
1115
1116
1117 (current)
1118
1119
1120
...
1578
›
»

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message