Speicher-ICs

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MT41J256M8HX-187E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.125ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager5.496
MT41J256M8JE-15E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 82-FBGA Lieferantengerätepaket: 82-FBGA (12.5x15.5)	Auf Lager3.024
MT41J256M8JE-187E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.125ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 82-FBGA Lieferantengerätepaket: 82-FBGA (12.5x15.5)	Auf Lager2.024
MT41J512M4HX-125:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.75ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager3.798
MT41J512M4HX-15E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager3.454
MT41J512M4HX-187E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.125ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager8.406
MT41J512M4JE-15E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 82-FBGA Lieferantengerätepaket: 82-FBGA (12.5x15.5)	Auf Lager3.384
MT41J512M8RA-15E IT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (10.5x12)	Auf Lager3.942
MT41J512M8RH-093:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1066MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager10.737
MT41J512M8RH-093:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1066MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager2.610
MT41J512M8RH-107:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager6.714
MT41J512M8THD-15E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager1.458
MT41J512M8THD-187E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.125ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager4.554
MT41J512M8THU-15E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.5ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 82-FBGA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.472
MT41J512M8THU-187E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 13.125ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 82-FBGA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.502
MT41J64M16JT-107:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.374
MT41J64M16JT-125E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager3.888
MT41J64M16JT-125:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager5.746
MT41J64M16JT-125:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.734
MT41J64M16JT-15E AAT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager6.516
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager2.412
MT41J64M16JT-15E AIT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager2.898
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.176
MT41J64M16JT-15E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager25.328
MT41J64M16JT-15E:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.068
MT41J64M16JT-15E IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager14.036
MT41J64M16JT-15E IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager6.210
MT41J64M16JT-15E XIT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager2.250
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager6.678
MT41J64M16JT-187E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager8.406

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