Speicher-ICs

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MT40A512M16JY-083E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager58.397
MT40A512M16JY-083E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager3.042
MT40A512M16LY-062E AAT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager3.888
MT40A512M16LY-062E AAT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager4.212
MT40A512M16LY-062E AIT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager3.400
MT40A512M16LY-062E AIT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager7.920
MT40A512M16LY-062E AUT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager6.822
MT40A512M16LY-062E AUT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager8.406
MT40A512M16LY-062E:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager5.629
MT40A512M16LY-062E:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager3.418
MT40A512M16LY-062E IT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager43.228
MT40A512M16LY-062E IT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager2.034
MT40A512M16LY-075:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager17.838
MT40A512M16LY-075:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager2.502
MT40A512M16TB-062E IT:J Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager6.858
MT40A512M16TB-062E IT:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager6.390
MT40A512M16TB-062E:J Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager3.878
MT40A512M16TB-062E:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (7.5x13.5)	Auf Lager3.330
MT40A512M16Z01AWC1 Micron Technology Inc.	Speicher DDR4 8G DIE 512MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.816
MT40A512M8HX-083E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager8.226
MT40A512M8HX-093E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1067MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x11.5)	Auf Lager4.680
MT40A512M8RH-062E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager6.246
MT40A512M8RH-062E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager6.750
MT40A512M8RH-075E AAT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager4.176
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager7.110
MT40A512M8RH-075E AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager8.028
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager4.842
MT40A512M8RH-075E AUT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager6.048
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager8.226
MT40A512M8RH-075E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (9x10.5)	Auf Lager5.022

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