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MT40A512M16LY-062E AUT:E

MT40A512M16LY-062E AUT:E

Nur als Referenz

Teilenummer MT40A512M16LY-062E AUT:E
PNEDA Teilenummer MT40A512M16LY-062E-AUT-E
Beschreibung IC SDRAM DDR4 8G 96FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT40A512M16LY-062E AUT:E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT40A512M16LY-062E AUT:E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT40A512M16LY-062E AUT:E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR4
Speichergröße8Gb (512M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz1.6GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit19ns
Spannung - Versorgung1.14V ~ 1.26V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (7.5x13.5)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (256K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4.2ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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MTFC8GACAEDQ-K1 AIT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

MMC

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

PL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128M (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

60ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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AT49F002AN-55TI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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32-TSOP

AS6C2008A-55BIN

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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