Speicher-ICs

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MT40A4G4NRE-075E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 16Gb (4G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager7.704
MT40A4G4NRE-075E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 16Gb (4G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager4.518
MT40A4G4NRE-083E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 16Gb (4G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager6.660
MT40A4G4NRE-083E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 16Gb (4G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager8.694
MT40A4G4NRE-083E C:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 16Gb (4G x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager2.988
MT40A4G4VA-062E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DDR4 SDRAM 16GB 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 16Gb (1G x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (10x11)	Auf Lager6.264
MT40A4G4VA-062E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DDR4 SDRAM 16GB 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 16Gb (1G x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (10x11)	Auf Lager8.730
MT40A4G8KVA-083H:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 32Gb (4G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager2.772
MT40A4G8KVA-083H:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 32G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 32Gb (4G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager5.220
MT40A512M16HA-083E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager31.737
MT40A512M16HA-083E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager3.762
MT40A512M16HA-083E IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager5.706
MT40A512M16HA-083E IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager6.858
MT40A512M16JY-062E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.806
MT40A512M16JY-062E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.446
MT40A512M16JY-062E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager1.161
MT40A512M16JY-062E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager5.760
MT40A512M16JY-075E AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager7.578
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager7.110
MT40A512M16JY-075E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager3.441
MT40A512M16JY-075E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.050
MT40A512M16JY-075E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager2.232
MT40A512M16JY-075E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager3.418
MT40A512M16JY-083E AAT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager5.004
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager2.034
MT40A512M16JY-083E AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager2.196
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager4.338
MT40A512M16JY-083E AUT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager6.660
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager8.280
MT40A512M16JY-083E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (8x14)	Auf Lager45.306

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