Speicher-ICs

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MT40A1G8SA-062E:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager5.616
MT40A1G8SA-062E:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager8.388
MT40A1G8SA-062E IT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager3.096
MT40A1G8SA-062E IT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager2.898
MT40A1G8SA-062E IT:J Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager6.588
MT40A1G8SA-062E IT:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager8.442
MT40A1G8SA-062E:J Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager4.086
MT40A1G8SA-062E:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR4 8G PAR 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager2.934
MT40A1G8SA-075:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager78.950
MT40A1G8SA-075:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager2.502
MT40A1G8SA-075:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (7.5x11)	Auf Lager7.038
MT40A1G8WE-075E AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager7.398
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager6.660
MT40A1G8WE-075E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager8.064
MT40A1G8WE-075E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager5.940
MT40A1G8WE-075E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager4.284
MT40A1G8WE-075E:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager8.154
MT40A1G8WE-075E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager5.760
MT40A1G8WE-075E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.33GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager2.268
MT40A1G8WE-083E AAT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager7.488
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager2.772
MT40A1G8WE-083E AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager5.184
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager4.680
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager3.258
MT40A1G8WE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager4.284
MT40A1G8WE-083E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager2.178
MT40A1G8WE-083E IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 19ns Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager5.886
MT40A1G8WE-083E IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 8Gb (1G x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.2GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 78-TFBGA Lieferantengerätepaket: 78-FBGA (8x12)	Auf Lager7.254
MT40A1G8Z01AWC1 Micron Technology Inc.	Speicher DDR4 8G DIE 1GX8 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.748
MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR4 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 1.6GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.26V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x14)	Auf Lager5.418

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