Texas Instruments Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller

Datensätze 63

Seite 3/3

Teilenummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Serie	FET-Typ	FET-Funktion	Drain to Source Voltage (Vdss)	Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	Leistung - max	Betriebstemperatur	Montagetyp	Paket / Fall	Lieferantengerätepaket
CSD75204W15	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA	8.010	NexFET™	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	-	3A	-	900mV @ 250µA	3.9nC @ 4.5V	410pF @ 10V	700mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	9-UFBGA, DSBGA	9-DSBGA
CSD75205W1015	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA	4.068	NexFET™	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	1.2A	120mOhm @ 1A, 4.5V	850mV @ 250µA	2.2nC @ 4.5V	265pF @ 10V	750mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	6-UFBGA, DSBGA	6-DSBGA (1x1.5)
CSD75211W1723	Texas Instruments	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA	8.028	NexFET™	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	4.5A	40mOhm @ 2A, 4.5V	1.1V @ 250µA	5.9nC @ 4.5V	600pF @ 10V	1.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	12-UFBGA, DSBGA	12-DSBGA

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