CSD75205W1015
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| Teilenummer | CSD75205W1015 |
| PNEDA Teilenummer | CSD75205W1015 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA |
| Hersteller | Texas Instruments |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.068 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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CSD75205W1015 Ressourcen
| Marke | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CSD75205W1015 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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CSD75205W1015 Technische Daten
| Hersteller | |
| Serie | NexFET™ |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 10V |
| Leistung - max | 750mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFBGA, DSBGA |
| Lieferantengerätepaket | 6-DSBGA (1x1.5) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 39pF @ 3V Leistung - max 400mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 870mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 81pF @ 15V Leistung - max 260mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 700mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 6V Leistung - max 300mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A, 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 13V Leistung - max 2.2W, 2.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket Power56 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
