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UNR511TG0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager4.500
UNR511V00L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager7.578
UNR511VG0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager5.778
UNR515400L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330µA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager3.276
UNR51A0G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager7.074
UNR51A1G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager2.448
UNR51A2G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager5.580
UNR51A3G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager7.542
UNR51A4G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager5.454
UNR51A5G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager6.372
UNR51A6G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager7.002
UNR51AEG0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager6.444
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UNR51AVG0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1.5mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager2.358
UNR521000L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager3.096
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UNR5211G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager5.994
UNR521200L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager8.514
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