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UNR511VG0L

UNR511VG0L

Nur als Referenz

Teilenummer UNR511VG0L
PNEDA Teilenummer UNR511VG0L
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 5.778
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 16 - Jan 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UNR511VG0L Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUNR511VG0L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
UNR511VG0L, UNR511VG0L Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 630,48 KB)
PDFUNR511VG0L Datenblatt Cover
UNR511VG0L Datenblatt Seite 2 UNR511VG0L Datenblatt Seite 3 UNR511VG0L Datenblatt Seite 4 UNR511VG0L Datenblatt Seite 5 UNR511VG0L Datenblatt Seite 6 UNR511VG0L Datenblatt Seite 7 UNR511VG0L Datenblatt Seite 8 UNR511VG0L Datenblatt Seite 9 UNR511VG0L Datenblatt Seite 10 UNR511VG0L Datenblatt Seite 11

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UNR511VG0L Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce6 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1.5mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang80MHz
Leistung - max150mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-85
LieferantengerätepaketSMini3-F2

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DDTB123TC-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

200MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

PDTD123YQAZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

210MHz

Leistung - max

325mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN1010D-3

DDTC123YUA-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

NSVMMUN2135LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

246mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

UNR211300L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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914CE2-3

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SWITCH SNAP ACTION SPDT 5A 240V

MT41J128M16HA-15E:D

MT41J128M16HA-15E:D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

BZV55C15-TP

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Micro Commercial Co

DIODE ZENER 15V 500MW MINIMELF

BNX016-01

BNX016-01

Murata

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74LVC02AD,118

74LVC02AD,118

Nexperia

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NL17SZ08XV5T2G

NL17SZ08XV5T2G

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SOT553

M27C512-15F1

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IC EPROM 512K PARALLEL 28CDIP

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DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3