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UNR411800A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 510 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 5.1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager5.760
UNR411900A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager6.156
UNR411E00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager7.956
UNR411F00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager4.572
UNR411H00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager3.420
UNR411L00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager8.208
UNR412100A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-A1	Auf Lager2.322
UNR412200A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-A1	Auf Lager8.928
UNR412300A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-A1	Auf Lager6.138
UNR412400A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-A1	Auf Lager2.754
UNR42100RA Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager6.444
UNR421100A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager4.986
UNR421200A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager2.898
UNR421300A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager2.412
UNR421400A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager2.268
UNR42160RA Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager6.498
UNR42170RA Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager2.232
UNR421800A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 510 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 5.1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager46.788
UNR421900A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager4.266
UNR421D00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager7.722
UNR421F00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager8.460
UNR421K00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager36.846
UNR421L00A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager3.708
UNR422100A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager3.654
UNR422200A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager2.700
UNR422300A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager4.446
UNR422400A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 300mW Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager2.196
UNR511000L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager102.366
UNR511100L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SMini3-G1	Auf Lager7.722
UNR5111G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 80MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-85 Lieferantengerätepaket: SMini3-F2	Auf Lager8.658

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