Transistoren

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BCR 148L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager3.762
BCR 148T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager4.086
BCR148WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager8.136
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BCR 148W H6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager3.582
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BCR 151F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 120MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager7.434
BCR 151L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 120MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager7.614
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BCR 153F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager7.524
BCR 153L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager7.326
BCR 153T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager8.838
BCR 158 B6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.888
BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager56.940
BCR 158F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager5.382
BCR 158L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager5.346
BCR 158T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager2.862
BCR158WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager3.006
BCR158WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager2.376
BCR 162 B6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.734
BCR162E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.788
BCR 162F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager8.910
BCR 162L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager6.696
BCR 162T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager7.578
BCR 164F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 160MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager7.344
BCR 164L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 160MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager6.804
BCR 164T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 160MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager7.668
BCR166B6327HTLA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 160MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.268

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