Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BCR 198L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 190MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager6.732
BCR 198T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 190MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager3.960
BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 190MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager8.154
BCR198WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 190MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager7.470
BCR 199F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager5.454
BCR 199L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager6.948
BCR 199T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager5.688
BCR 503 B6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.172
BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager306.150
BCR503E6393HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.114
BCR505E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager332.376
BCR505E6778HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.856
BCR 512 B6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.580
BCR512E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.678
BCR 519 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.716
BCR521E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.190
BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager1.330.668
BCR523E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.068
BCR533E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager252.348
BCR553E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.434
BCR555E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager93.186
BCR555E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.336
BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager26.184
BCR 569 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.092
BCR573E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.798
BCR573E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.446
BCR583E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 330mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.228
DDTA113TCA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.766
DDTA113TCA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.218
DDTA113TE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager6.192

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