Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
ADTC144WCAQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 3K Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 310mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager3.598
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager2.718
BCR 101T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 100MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager7.074
BCR 103F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager7.614
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager4.572
BCR 103T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager3.888
BCR 108 B6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.940
BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager323.208
BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.748
BCR 108F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager7.956
BCR 108L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager2.484
BCR 108T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager4.878
BCR108WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager3.618
BCR108WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager2.520
BCR108WH6433XTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 170MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager7.398
BCR112E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager510.258
BCR 112F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager2.466
BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager3.294
BCR 112T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager8.280
BCR112WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager5.454
BCR112WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 140MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager8.676
BCR 114F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 160MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager4.590
BCR 114L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 160MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager4.230
BCR 114T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 160MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager2.322
BCR116E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.590.422
BCR116E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.706
BCR 116F E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: PG-TSFP-3	Auf Lager4.032
BCR 116L3 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: PG-TSLP-3-4	Auf Lager7.506
BCR 116T E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: PG-SC-75	Auf Lager4.104
BCR116WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 150MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager7.038

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