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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BSP52T1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager1.840
BSP52T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager267.240
BSP52T3 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager3.852
BSP52T3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.490
BSP60,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager23.364
BSP60E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager7.398
BSP 60 E6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager5.022
BSP60H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager7.470
BSP61,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager23.958
BSP61E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager6.966
BSP61H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager3.276
BSP62,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SC-73	Auf Lager22.578
BSP62E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 1A SOT-223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager7.866
BSP62H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 1A SOT223 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager5.724
BSR12,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 1V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 1.5GHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager2.538
BSR13 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 0.5A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.340
BSR14 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.8A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager55.704
BSR14,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.8A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager252.216
BSR14_D87Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.608
BSR15 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.598
BSR16 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.8A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager58.338
BSR16,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager3.564
BSR16/LF1R NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR PNP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager8.550
BSR17A ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager95.184
BSR17A_D87Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.184
BSR18A ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.680
BSR18A_D87Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.240
BSR18B ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 10mA, 1V Leistung - max: 230mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.578
BSR19A,215 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Leistung - max: 250mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB	Auf Lager27.012
BSR30,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 1A SOT89 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1.35W Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager2.322

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