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BSR16/LF1R

BSR16/LF1R

Nur als Referenz

Teilenummer BSR16/LF1R
PNEDA Teilenummer BSR16-LF1R
Beschreibung TRANSISTOR PNP
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.550
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BSR16/LF1R Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSR16/LF1R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BSR16/LF1R, BSR16/LF1R Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 216,31 KB)
PDFBSR16/LF1R Datenblatt Cover
BSR16/LF1R Datenblatt Seite 2 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 3 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 4 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 5 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 6 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 7 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 8 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 9 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 10 BSR16/LF1R Datenblatt Seite 11

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BSR16/LF1R Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie*
Transistortyp-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 12V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

4W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

MPS6652RLRAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2N2906A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

BD436T

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

Leistung - max

36W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-225AA

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