BSR12,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | BSR12,215 |
| PNEDA Teilenummer | BSR12-215 |
| Beschreibung | TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.538 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSR12 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSR12,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BSR12 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 1V |
| Leistung - max | 250mW |
| Frequenz - Übergang | 1.5GHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V Leistung - max 600mW Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 125V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 900mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 200mA, 1V Leistung - max 330mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2A, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 6 @ 8A, 5V Leistung - max 55W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOWATT-218-3 Lieferantengerätepaket ISOWATT-218 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
