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BSR12,215

BSR12,215

Nur als Referenz

Teilenummer BSR12,215
PNEDA Teilenummer BSR12-215
Beschreibung TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BSR12 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSR12,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
BSR12, BSR12 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 61,67 KB)
PDFBSR12 Datenblatt Cover
BSR12 Datenblatt Seite 2 BSR12 Datenblatt Seite 3 BSR12 Datenblatt Seite 4 BSR12 Datenblatt Seite 5 BSR12 Datenblatt Seite 6 BSR12 Datenblatt Seite 7 BSR12 Datenblatt Seite 8 BSR12 Datenblatt Seite 9 BSR12 Datenblatt Seite 10 BSR12 Datenblatt Seite 11

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BSR12 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic450mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 1V
Leistung - max250mW
Frequenz - Übergang1.5GHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/180

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 40mA, 750mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 750mA, 4V

Leistung - max

1.75W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-233AA, TO-8-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-8

2SC4546

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 600mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

Leistung - max

30W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

TS13002ACT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 20mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 10V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

JAN2N2221AUB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/255

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

BFN38E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 30mA, 10V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

70MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

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