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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
6885-BC556B ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single BIPOLAR TRANSISTORS Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.682
6985-BC556B ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.860
AC817-40Q-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Leistung - max: 310mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager5.256
AC847BWQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager6.012
AC847BWQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager4.662
AC847CQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 5V Leistung - max: 310mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.032
AC857BQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.572
AC857CQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 310mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.716
AC857CWQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager4.932
AMBTA92Q-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager6.480
AML2002 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 0.7A TO-126ML Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 35mA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126ML	Auf Lager8.928
APT13003DI-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 1.5A TO251 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Leistung - max: 24W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: TO-251	Auf Lager25.416
APT13003DU-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 1.5A TO126 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager8.496
APT13003DZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 1.5A TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager22.458
APT13003EU-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 465V 1.5A TO126 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 465V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager19.554
APT13003EZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 465V 1.5A TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 465V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager3.690
APT13003HU-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 465V 1.5A TO126 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 465V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager5.994
APT13003HZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 465V 1.5A TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 465V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager16.518
APT13003LZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 300mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager5.148
APT13003NZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC POWER TRANSISTOR HV TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager77.712
APT13003SU-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 1.3A TO126 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager22.932
APT13003SZTR-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 1.3A TO92 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 250mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Leistung - max: 1.1W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager6.444
APT13005DI-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 4A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: TO-251	Auf Lager5.580
APT13005DTF-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 4A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 28W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F-3	Auf Lager7.056
APT13005DT-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 4A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.966
APT13005SI-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 3.2A TO251 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: TO-251	Auf Lager7.434
APT13005STF-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 3.2A TO220 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 28W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket: TO-220F-3	Auf Lager8.460
APT13005SU-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 3.2A TO126 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 750mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager28.722
APT13005TF-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 4A TO220-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 28W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager5.256
APT13005T-G1 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 4A TO220AB Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 1A, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.228

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