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APT13003SZTR-G1

APT13003SZTR-G1

Nur als Referenz

Teilenummer APT13003SZTR-G1
PNEDA Teilenummer APT13003SZTR-G1
Beschreibung TRANS NPN 450V 1.3A TO92
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 6.444
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 28 - Mär 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT13003SZTR-G1 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT13003SZTR-G1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
APT13003SZTR-G1, APT13003SZTR-G1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 335,67 KB)
PDFAPT13003SZTR-G1 Datenblatt Cover
APT13003SZTR-G1 Datenblatt Seite 2 APT13003SZTR-G1 Datenblatt Seite 3 APT13003SZTR-G1 Datenblatt Seite 4 APT13003SZTR-G1 Datenblatt Seite 5

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APT13003SZTR-G1 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)450V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 250mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce5 @ 1A, 2V
Leistung - max1.1W
Frequenz - Übergang4MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

MPSW51ARLRA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

2SA1015-O-AP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 6V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

BC857BW,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

MJ11030G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

90V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 500mA, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 25A, 5V

Leistung - max

300W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3

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