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APT13005DT-G1

APT13005DT-G1

Nur als Referenz

Teilenummer APT13005DT-G1
PNEDA Teilenummer APT13005DT-G1
Beschreibung TRANS NPN 450V 4A
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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APT13005DT-G1 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT13005DT-G1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
APT13005DT-G1, APT13005DT-G1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 548,8 KB)
PDFAPT13005DT-G1 Datenblatt Cover
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APT13005DT-G1 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)450V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic900mV @ 1A, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce8 @ 2A, 5V
Leistung - max75W
Frequenz - Übergang4MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Transistortyp

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SST3

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Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 2.5A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

700µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3A, 4V

Leistung - max

3.5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

SOT-93

FZT491ATC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

2PB709ARL,235

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

70MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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