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MMPQ3906 TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANSISTOR PNP QUAD 16SOIC Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager4.716
MMPQ6502 TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANSISTOR QUAD SMD Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager2.682
MMPQ6700 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 40V 0.2A 16SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager4.752
MP6Z13TR Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 320MHz, 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: MPT6	Auf Lager7.884
MPQ2222 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 40V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager19.524
MPQ2222A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 40V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager3.474
MPQ2369 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 15V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 2V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager6.024
MPQ2483 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 40V Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager7.506
MPQ2484 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 40V Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager6.282
MPQ2907 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 40V 0.6A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager47.320
MPQ2907A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.6A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.010
MPQ3467 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 40V Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 125MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager3.906
MPQ3725 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 40V 1A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.460
MPQ3725A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 50V 1A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager2.700
MPQ3762 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 40V Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager5.292
MPQ3798 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 40V 0.05A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 10mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager7.578
MPQ3799 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 60V 0.05A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.442
MPQ3904 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 40V 0.2A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager10.740
MPQ3906 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 40V 0.2A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 1V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager4.374
MPQ6002 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.568
MPQ6100A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 45V Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: 3W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.118
MPQ6502 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 30V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 650mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager6.492
MPQ6700 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 40V 0.2A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager6.384
MPQ7043 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4NPN 250V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 NPN (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Leistung - max: 1.25W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager8.928
MPQ7053 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager7.902
MPQ7093 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 4PNP 250V 0.5A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 4 PNP (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: TO-116	Auf Lager6.060
NCV1413BDR2G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: 7 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager6.642
NJX1675PDR2G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 100MHz, 120MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.564
NMB2227AF Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NMB2227A/SOT457/SC-74 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager2.682
NMB2227AH Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NMB2227A/SOT457/SC-74 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager5.490

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