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MPQ3725A

MPQ3725A

Nur als Referenz

Teilenummer MPQ3725A
PNEDA Teilenummer MPQ3725A
Beschreibung TRANS 4NPN 50V 1A
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 2.700
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MPQ3725A Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPQ3725A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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MPQ3725A Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
Transistortyp4 NPN (Quad)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic450mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 500mA, 2V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang200MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall14-DIP (0.300", 7.62mm)
LieferantengerätepaketTO-116

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

8 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

2.25W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

18-DIP

2N2642

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10µA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

40MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

NSS40300DDR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

170mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 1A, 2V

Leistung - max

653mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

2N2453A

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

60MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

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