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NMB2227AF

NMB2227AF

Nur als Referenz

Teilenummer NMB2227AF
PNEDA Teilenummer NMB2227AF
Beschreibung NMB2227A/SOT457/SC-74
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.682
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NMB2227AF Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNMB2227AF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
NMB2227AF, NMB2227AF Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 722,41 KB)
PDFNMB2227AX Datenblatt Cover
NMB2227AX Datenblatt Seite 2 NMB2227AX Datenblatt Seite 3 NMB2227AX Datenblatt Seite 4 NMB2227AX Datenblatt Seite 5 NMB2227AX Datenblatt Seite 6 NMB2227AX Datenblatt Seite 7 NMB2227AX Datenblatt Seite 8 NMB2227AX Datenblatt Seite 9 NMB2227AX Datenblatt Seite 10 NMB2227AX Datenblatt Seite 11

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NMB2227AF Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang300MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
Lieferantengerätepaket6-TSOP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

700mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

SMBT3906SE6327HTSA1

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Infineon Technologies

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Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 500mA, 2V

Leistung - max

405mW

Frequenz - Übergang

175MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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