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2N2918 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 10µA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.482
2N2919 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10µA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.904
2N2919 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.634
2N2919A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10µA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.812
2N2919L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager2.322
2N2919U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager2.088
2N2920 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.500
2N2920 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.508
2N2920A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.920
2N2920L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.958
2N2920U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays PNP TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-SMD	Auf Lager3.600
2N3726 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.832
2N3727 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.030
2N3806 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.028
2N3807 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.158
2N3808 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.838
2N3809 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.128
2N3810 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.996
2N3810 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager9.192
2N3810A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.266
2N3810L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.264
2N3810U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager5.112
2N3811 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.482
2N3811 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager4.914
2N3811A Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.762
2N3811L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager8.280
2N3811U Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager6.372
2N3838 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 350mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-FlatPack Lieferantengerätepaket: 6-Flatpack	Auf Lager8.244
2N4015 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager7.704
2N4016 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-78-6	Auf Lager3.418

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