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2N2919L

2N2919L

Nur als Referenz

Teilenummer 2N2919L
PNEDA Teilenummer 2N2919L
Beschreibung TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N2919L Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N2919L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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2N2919L Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce150 @ 1mA, 5V
Leistung - max350mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-78-6 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-78-6

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

360mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

STA302A

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

3 PNP Darlington (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 10mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 4V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-SIP

Lieferantengerätepaket

8-SIP

QSZ2TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1.25W

Frequenz - Übergang

300MHz, 280MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Lieferantengerätepaket

TSMT5

ULN2004AINSE4

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

CMKT3946 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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