2N3838
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| Teilenummer | 2N3838 |
| PNEDA Teilenummer | 2N3838 |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.244 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N3838 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N3838 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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2N3838 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 350mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-FlatPack |
| Lieferantengerätepaket | 6-Flatpack |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/336 Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 6-SMD |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 250mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 1.5A, 2V Leistung - max 1.7W Frequenz - Übergang 190MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x2) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 50mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V Leistung - max 1.25W Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 2V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 400MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD Lieferantengerätepaket VMT6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 140MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
