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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2N3501 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager8.262
2N3501 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.3A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager5.742
2N3501L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.3A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager3.276
2N3501UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 0.3A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/366 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager6.426
2N3506A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.412
2N3506AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.616
2N3506L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.978
2N3507 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.166
2N3507AL Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.508
2N3507AU4 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/349 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: U4	Auf Lager6.264
2N3507L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.660
2N3507U4 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.048
2N3563 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN TO-106 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 600MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-106-3 Domed Lieferantengerätepaket: TO-106	Auf Lager7.740
2N3564 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN TO-106 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-106-3 Domed Lieferantengerätepaket: TO-106	Auf Lager7.542
2N3565 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR NPN TO-106 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.058
2N3583 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 175V 1A TO-66 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 175V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 125mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V Leistung - max: 35W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66	Auf Lager16.404
2N3584 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.950
2N3584 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 2A TO-66 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V Leistung - max: 35W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66	Auf Lager8.220
2N3585 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.344
2N3585 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 2A TO-66 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V Leistung - max: 35W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66	Auf Lager8.874
2N3634 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.398
2N3634L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager6.732
2N3634UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager4.446
2N3635 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager4.842
2N3635L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager2.700
2N3635UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 140V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager6.804
2N3636 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 175V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 175V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager4.698
2N3636L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 175V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 175V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager8.784
2N3636UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 175V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 175V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 3-SMD	Auf Lager6.516
2N3637 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN POWER SILICON TRANSISTORS Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.834

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