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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
Auf Lager
Menge
2N3439
2N3439

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2mA, 10V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 15MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager6.516
2N3439L
2N3439L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 350V 1A TO-5

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-5
Auf Lager7.020
2N3439U4
2N3439U4

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: U4
Auf Lager6.768
2N3439UA
2N3439UA

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 350V 1A UA

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.662
2N3440
2N3440

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 250V 1A TO-39

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 15MHz
  • Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager4.932
2N3440
2N3440

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER 350V 10W TRANSISTOR

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager2.502
2N3440
2N3440

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 250V 1A TO-39

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager16.776
2N3440
2N3440

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 250V TO-39

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: 15MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager52.740
2N3440L
2N3440L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 250V 1A TO-5

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-5
Auf Lager4.212
2N3440U4
2N3440U4

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

POWER BJT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: U4
Auf Lager7.056
2N3440UA
2N3440UA

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.012
2N3442
2N3442

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 10A TO3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
  • Leistung - max: 117W
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)
Auf Lager7.740
2N3442
2N3442

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.520
2N3442
2N3442

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 10A TO-3

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
  • Leistung - max: 117W
  • Frequenz - Übergang: 80kHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-3
Auf Lager6.072
2N3442G
2N3442G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 10A TO3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V
  • Leistung - max: 117W
  • Frequenz - Übergang: 80kHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)
Auf Lager7.572
2N3467
2N3467

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.060
2N3467
2N3467

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 40V 1A TO-39

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 175MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager11.472
2N3467L
2N3467L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.744
2N3468
2N3468

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager251
2N3468L
2N3468L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.938
2N3469
2N3469

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.834
2N3485A
2N3485A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.6A

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 400mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-46 (TO-206AB)
Auf Lager7.110
2N3486
2N3486

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.6A

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-46
Auf Lager4.410
2N3486A
2N3486A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.6A TO-46

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 400mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-46-3
Auf Lager3.366
2N3498
2N3498

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 0.5A TO-39

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager8.010
2N3498L
2N3498L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.932
2N3499
2N3499

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 0.5A TO-39

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager7.578
2N3499L
2N3499L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 100V 0.5A TO5

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-5
Auf Lager4.734
2N3500
2N3500

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 150V 0.3A TO-39

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager7.416
2N3500L
2N3500L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.644