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Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 159/2164
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Teilenummer
Beschreibung
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Menge
2N2945A
2N2945A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

PNP TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager282
2N2945AUB
2N2945AUB

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 20V 0.1A

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV
  • Leistung - max: 400mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: UB
Auf Lager3.798
2N2946A
2N2946A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 35V 0.1A TO-46

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
  • Leistung - max: 400mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-46-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-46-3
Auf Lager3.060
2N2946AUB
2N2946AUB

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 35V 0.1A

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
  • Leistung - max: 400mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: UB
Auf Lager8.604
2N3013
2N3013

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN HS MED PWR SWITCH

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV
  • Leistung - max: 360mW
  • Frequenz - Übergang: 350MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager4.410
2N3014
2N3014

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN HS MED PWR SWITCH

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 350MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-52-3
Auf Lager3.024
2N3019
2N3019

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A TO-39

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager4.680
2N3019
2N3019

MICROSS/On Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 80V

  • Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager8.586
2N3019
2N3019

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager4.824
2N3019
2N3019

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A TO-5

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-5
Auf Lager7.356
2N3019S
2N3019S

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A TO-39

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager5.094
2N3053
2N3053

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 40V 0.7A TO-39

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager13.290
2N3053A
2N3053A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager5.130
2N3055
2N3055

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 15A TO-3

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
  • Leistung - max: 115W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-3
Auf Lager4.194
2N3055
2N3055

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
  • Leistung - max: 115W
  • Frequenz - Übergang: 2.5MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-3
Auf Lager4.536
2N3055AG
2N3055AG

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 15A TO-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
  • Leistung - max: 115W
  • Frequenz - Übergang: 6MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)
Auf Lager18.720
2N3055G
2N3055G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 15A TO3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
  • Leistung - max: 115W
  • Frequenz - Übergang: 2.5MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)
Auf Lager42.186
2N3055H
2N3055H

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 15A TO-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
  • Leistung - max: 115W
  • Frequenz - Übergang: 2.5MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)
Auf Lager7.506
2N3055HG
2N3055HG

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 15A TO-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
  • Leistung - max: 115W
  • Frequenz - Übergang: 2.5MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-204AA, TO-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)
Auf Lager5.274
2N3057A
2N3057A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 1A TO-46

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
  • Leistung - max: 500mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-46-3
Auf Lager7.092
2N3108
2N3108

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN SS AMP 5W TRANSISTOR

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager3.420
2N3117
2N3117

MICROSS/On Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

DIE TRANS NPN SMALL SIGNAL 60V

  • Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager5.328
2N3117
2N3117

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.05A TO-18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V
  • Leistung - max: 360mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager13.998
2N3250
2N3250

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 40V 0.2A TO-18

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
  • Leistung - max: 360mW
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-18
Auf Lager20.076
2N3250A
2N3250A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.2A TO18

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
  • Leistung - max: 360mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager7.488
2N3251A
2N3251A

MICROSS/On Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

DIE TRANS PNP SMALL SIGNAL 60V

  • Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.646
2N3251A
2N3251A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.2A TO-39

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • Leistung - max: 360mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)
Auf Lager2.682
2N3251AUB
2N3251AUB

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 0.2A

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
  • Leistung - max: 360mW
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, No Lead
  • Lieferantengerätepaket: UB
Auf Lager5.256
2N3253
2N3253

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 75V 500NA TO39

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: 175MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager5.760
2N327A
2N327A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.916