2N3637

Nur als Referenz
Teilenummer | 2N3637 |
PNEDA Teilenummer | 2N3637 |
Beschreibung | NPN POWER SILICON TRANSISTORS |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.834 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Apr 7 - Apr 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
2N3637 Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Artikelnummer | 2N3637 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
Payment Method






- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode





- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 2N3637 Datasheet
- where to find 2N3637
- Microsemi
- Microsemi 2N3637
- 2N3637 PDF Datasheet
- 2N3637 Stock
- 2N3637 Pinout
- Datasheet 2N3637
- 2N3637 Supplier
- Microsemi Distributor
- 2N3637 Price
- 2N3637 Distributor
2N3637 Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | * |
Transistortyp | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
Leistung - max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | - |
Montagetyp | - |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 300µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 4V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220D-A1 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323) |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 1.25mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 20nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 5V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/464 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 5V @ 10A, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 25A, 2V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket TO-3 (TO-204AA) |