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JANTX2N5685

JANTX2N5685

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX2N5685
PNEDA Teilenummer JANTX2N5685
Beschreibung TRANS NPN 60V 50A TO-3
Hersteller Microsemi
Stückpreis
1 ---------- $788,3978
50 ---------- $751,4417
100 ---------- $714,4855
200 ---------- $677,5294
400 ---------- $646,7326
500 ---------- $615,9358
Auf Lager 308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JANTX2N5685 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX2N5685
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JANTX2N5685 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/464
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic5V @ 10A, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 25A, 2V
Leistung - max300W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-204AA, TO-3
LieferantengerätepaketTO-3 (TO-204AA)

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2N5680

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39 (TO-205AD)

2SD0814ASL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

185V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 3mA, 30mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

185 @ 10mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G1

2SC2812N6-TB-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 1mA, 6V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

3-CP

BCW66GLT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

BD234G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 2V

Leistung - max

25W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-225AA

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