Transistoren

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NTD4805NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.592
NTD4806N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.462
NTD4806N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.790
NTD4806NA-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.392
NTD4806NA-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.606
NTD4806NAT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.172
NTD4806NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.478
NTD4808N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1538pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager40.794
NTD4808N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.8A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1538pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.598
NTD4808NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1538pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.320
NTD4809N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.924
NTD4809N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.220
NTD4809NA-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.148
NTD4809NA-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager6.408
NTD4809NAT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.316
NTD4809NH-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2155pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.068
NTD4809NH-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2155pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager5.418
NTD4809NHT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2155pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.516
NTD4809NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 11.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager24.828
NTD4810N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.874
NTD4810N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.970
NTD4810NH-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.28W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.320
NTD4810NH-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.28W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.644
NTD4810NHT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.28W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.148
NTD4810NT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.446
NTD4813N-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.644
NTD4813N-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.380
NTD4813NH-1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.798
NTD4813NH-35G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.024
NTD4813NHT4G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 40A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.250

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