NTD4806NA-35G
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| Teilenummer | NTD4806NA-35G |
| PNEDA Teilenummer | NTD4806NA-35G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.606 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTD4806NA-35G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTD4806NA-35G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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NTD4806NA-35G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2142pF @ 12V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-PAK |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 50A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 60W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket ATPAK Paket / Fall ATPAK (2 leads+tab) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 2.8V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 2.8V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92-3 Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 16V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 238nC @ 20V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3790pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 310W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
