Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTD4813N-1G

NTD4813N-1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTD4813N-1G
PNEDA Teilenummer NTD4813N-1G
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.644
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NTD4813N-1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTD4813N-1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
NTD4813N-1G, NTD4813N-1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 302,71 KB)
PDFNTD4813N-35G Datenblatt Cover
NTD4813N-35G Datenblatt Seite 2 NTD4813N-35G Datenblatt Seite 3 NTD4813N-35G Datenblatt Seite 4 NTD4813N-35G Datenblatt Seite 5 NTD4813N-35G Datenblatt Seite 6 NTD4813N-35G Datenblatt Seite 7 NTD4813N-35G Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NTD4813N-1G Datasheet
  • where to find NTD4813N-1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NTD4813N-1G
  • NTD4813N-1G PDF Datasheet
  • NTD4813N-1G Stock

  • NTD4813N-1G Pinout
  • Datasheet NTD4813N-1G
  • NTD4813N-1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NTD4813N-1G Price
  • NTD4813N-1G Distributor

NTD4813N-1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.6A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.9nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds860pF @ 12V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRFH5302DTR2PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3635pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PQFN (5x6) Single Die

Paket / Fall

8-PowerVDFN

RUM002N05T2L

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

VMT3

Paket / Fall

SOT-723

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

264nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

IPI50R199CPXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

199mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 660µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

139W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FDPF3N50NZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET-II™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

27W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

ACPL-247-500E

ACPL-247-500E

Broadcom

OPTOISO 3KV 4CH TRANS 16SOIC

ADR291GRZ

ADR291GRZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T

Abracon

CRYSTAL 24.0000MHZ 18PF SMD

BAT54WS-7-F

BAT54WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323

LTM4613IV#PBF

LTM4613IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 12V 8A

ASDMB-48.000MHZ-LC-T

ASDMB-48.000MHZ-LC-T

Abracon

MEMS OSC XO 48.0000MHZ LVCMOS

MAX232EJE

MAX232EJE

Maxim Integrated

MULTICHANNEL RS-232 DRIVERS/RECE

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

IRGP4750D-EPBF

IRGP4750D-EPBF

Infineon Technologies

IGBT 650V 70A 273W TO247AD

AD7495ARMZ

AD7495ARMZ

Analog Devices

IC ADC 12BIT SAR 8MSOP

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT