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Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 1551/2164
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Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
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IXTU5N50P
IXTU5N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 89W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak)
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.154
IXTU64N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 64A TO-251

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-251
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager5.814
IXTU8N70X2
IXTU8N70X2

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 150W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-251-3
  • Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Auf Lager6.984
IXTV02N250S

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 2500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 116pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 83W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager8.892
IXTV03N400S

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 4000V .3A PLUS 220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 4000V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 130W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager5.400
IXTV102N20T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 102A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 750W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager3.492
IXTV102N25T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 102A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager5.202
IXTV110N25TS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 694W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager2.340
IXTV120N15T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager5.040
IXTV130N15T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager3.132
IXTV18N60P
IXTV18N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager6.786
IXTV18N60PS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager3.330
IXTV200N10T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager3.690
IXTV200N10TS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager5.004
IXTV22N50P
IXTV22N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 350W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager4.518
IXTV22N50PS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220-SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 350W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager3.420
IXTV22N60P
IXTV22N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager2.718
IXTV22N60PS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager4.122
IXTV230N085T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 85V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager8.910
IXTV230N085TS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 85V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager5.472
IXTV250N075T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager3.042
IXTV250N075TS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager3.816
IXTV26N50P
IXTV26N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager7.128
IXTV26N50PS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager2.448
IXTV26N60P
IXTV26N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager2.052
IXTV26N60PS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager5.868
IXTV280N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager8.460
IXTV280N055TS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager4.518
IXTV30N50P
IXTV30N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: PLUS220
  • Paket / Fall: TO-220-3, Short Tab
Auf Lager2.556
IXTV30N50PS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: PLUS-220SMD
  • Paket / Fall: PLUS-220SMD
Auf Lager5.940